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TriQuint:新氮化镓晶体管
◇◇◇◇◇◆ 2014-01-17 ◇◆◇◇◇◇◇◇ 字号大小 ((( )))  浏览

新的triquint 氮化镓晶体管

triquint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管,可使放大器尺寸减小50%

技术创新的射频解决方案领导厂商triquint半导体公司,推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (gan) hemt 射频功率晶体管产品。triquint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 ghz宽广的工作频率上提供30-37w (cw) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。

triquint新的氮化镓功率晶体管包括28vt1g6003028-fs,其工作频率为直流至6 ghz,提供30w的输出功率,在3.5 ghz6 ghz频率时的效率分别为55%44%t1g6003028-fl提供相同的性能,并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。triquint新的32vt1g4003532-fs和法兰封装的t1g4003532-fl是用于s波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 ghz工作频率下提供37w (cw) 输出功率。上述两种32v器件均在3.5 ghz6 ghz分别提供大于16db10db的增益;其附加功率效率(pae) 5ghz6ghz分别为60%49.6%

所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比(vswr) 失配而不损害功能,同时为在高漏偏压条件下工作而优化,从而降低系统成本和散热管理成本。所有器件均可出口至大多数国家;详情请与triquint联系。

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