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智能手机带动 未来五年存储器成长力道强劲 
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◇◇◇◇◇◆ 2017-01-10 ◇◆◇◇◇◇◇◇ 字号大小 ((( )))

    IC Insights最新报告预测,DRAM与NAND快闪存储器等,未来五年年均复合增长率(CAGR)可达7.3%,产值将从去年的773亿美元扩增至1,099亿美元。

 

   报告将半导体区分成逻辑、存储器,模拟与微组件(microcomponents)IC等四种类型,在五年的预测区间内,以存储器成长力道最为强劲,模拟IC以5.2%次之,微组件为4.4%,至于逻辑IC则仅有2.9%。

 

   IC Insights指出智能手机等移动设备对低功耗存储器需求激增,是驱动DRAM与NAND快闪存储器成长的主要动能。除此之外,使用NAND快闪存储器的固态硬盘(SSD)在数据中心、笔记本电脑的应用也日趋吃重。

 

   三星上周五公布2016年第四季财报,在Note 7自燃召回的状况下,营益竟然还能逆势跳增近80%,就是因为受惠于存储器价格大涨,将利润空间拉大。

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